01974na  a2200397   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002900093245021600122300002300338545010400361545006000465545006700525545006000592545007800652545007800730545011100808653012400919700005301043700004801096700003601144700004801180700001401228700004801242700001401290773014601304900001601450900001701466900001801483900001801501900002301519900001801542900001601560KSI00056802920060919141747060829s1996    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈc9(1)00aAI(Si, Cu) 합금막의 플라즈마 식각후 표면 특성=xSurface properties of AI(Si, Cu) alloy film after plasma etching/d구진근,e김창일,e박형호,e권광호,e현영철,e서경수,e남기수  ap. 291-297;c26 cm  a구진근, 한국전자통신연구소 반도체연구단 단위공정연구실장(책임연구원)  a김창일, 안양대학교 전기공학과 전임강사  a박형호, 연세대학교 공대 세라믹공학과 조교수  a권광호, 한서대학교 전자공학과 전임강사  a현영철, 한국전자통신연구소 반도체연구단 선임연구원  a서경수, 한국전자통신연구소 반도체연구단 책임연구원  a남기수, 한국전자통신연구소 반도체연구단 주문형 반도체연구부장(책임연구원)  a알루미늄a구리a반응성이온식각a플라즈마a알루미늄 합금aAluminumaCopperaRIEaPlasmaaAl alloy1 a구진근,g具珍根,d1956-0KAC2016372354aut1 a김창일,g金昌日,d1960-0KAC2018385741 a박형호,d1958-0KAC2017452501 a권광호,g權光虎,d1959-0KAC2017082641 a현영철1 a서경수,g徐景壽,d1953-0KAC2018442931 a남기수0 t電氣電子材料學會誌.d韓國電氣電子材料學會.g9卷 3號(1996년 3월), p. 291-297q9:3<291w(011001)KSE199508720,x1225-668410aGoo, Jinkun10aKim, Changil10aPark, Hyungho10aKwon, Kwangho10aHyeon, Yeoungcheol10aSuh, Kyungsoo10aNam, Keesoo