01120nam a2200217 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245019100133300002500324545006300349545007000412653015600482700005300638700001400691773016200705900001800867900001700885KSI00054662320060824151339060802s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc17(9)-17(12)00aPt/LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조를 이용한 MFIS 커패시터의 전기적 특성=xElectric properties of MFIS capacitors using Pt/LiNbO₃/AIN/Si(100) structure/d정순원,e김광호  ap. 1283-1288;c26 cm  a정순원, 청주대학교 일반대학원 전자공학과  a김광호, 청주대학교 정보통신공학부bkhkim@cju.ac.kr  aMFIS capacitoraRapid thermal annealaNon-volatile memoryaHystersisaLiNbO₃/AIN/Si(100) structureaPt/LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조aMFIS 커패시터1 a정순원,g鄭焞元,d1976-0KAC2018050784aut1 a김광호0 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.17 no.12(2004년 12월), p. 1283-1288q17:12<1283w(011001)KSE199800338,x1226-794510aJung, Soonwon10aKim, Kwangho