01441nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245019700133300002500330545008400355545006600439545006600505545006600571653014100637700005300778700001400831700003600845700003600881773016200917900001701079900001901096900001901115900001701134KSI00054655920060824151339060802s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc17(9)-17(12)00a양성자 조사법에 의한 고속스위칭 사이리스터의 제조=xFabrication of a fast switching thyristor by proton irradiation method/d김은동,e장창리,e김상철,e김남균  ap. 1264-1270;c26 cm  a김은동, 전력반도체연구그룹, 한국전기연구원bedkim@keri.re.kr  a장창리, 전력반도체연구그룹, 한국전기연구원  a김상철, 전력반도체연구그룹, 한국전기연구원  a김남균, 전력반도체연구그룹, 한국전기연구원  aThyristoraProton irradiationaFast switchingaCarrier lifetimeaDiffusion currenta양성자 조사법a고속스위칭 사이리스터1 a김은동,g金垠東,d1958-0KAC2016365354aut1 a장창리1 a김상철,d1964-0KAC2018512851 a김남균,d1962-0KAC2018466540 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.17 no.12(2004년 12월), p. 1264-1270q17:12<1264w(011001)KSE199800338,x1226-794510aKim, Eundong10aZhang, Changli10aKim, Sangcheol10aKim, Namkyun