01832nam a2200433 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245025000133300002500383545004700408545004700455545004700502545004700549545004700596545004700643545004700690545006400737653011400801700001900915700001400934700004800948700001400996700001401010700001401024700001401038700004801052773016201100900001901262900001801281900001601299900001701315900001601332900001701348900001701365900001601382KSI00054606720060824151338060802s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc17(9)-17(12)00aNano-scale CMOS를 위한 Ni-germano silicide의 열 안정성 연구=xStudy of Ni-germano silicide thermal stability for nano-scale CMOS technology/d황빈봉,e오순영,e윤장근,e김용진,e지희환,e김용구,e왕진석,e이희덕  ap. 1149-1155;c26 cm  a황빈봉, 충남대학교 전자공학과  a오순영, 충남대학교 전자공학과  a윤장근, 충남대학교 전자공학과  a김용진, 충남대학교 전자공학과  a지희환, 충남대학교 전자공학과  a김용구, 충남대학교 전자공학과  a왕진석, 충남대학교 전자공학과  a이희덕, 충남대학교 전자공학과bhdlee@cnu.ac.kr  aNi-germano silicideaTri-layer structureaPost sillicidation annealingaThermal stabilityaAbnormal oxidation1 a황빈봉4aut1 a오순영1 a윤장근,g尹壯根,d1980-0KAC2020I24791 a김용진1 a지희환1 a김용구1 a왕진석1 a이희덕,g李熙德,d1967-0KAC2017030270 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.17 no.11(2004년 11월), p. 1149-1155q17:11<1149w(011001)KSE199800338,x1226-794510aHuang, Binfeng10aOh, Soonyoung10aYun, Janggn10aKim, Yongjin10aJi, Heehwan10aKim, Yonggoo10aWang, Jinsuk10aLee, Hideok