01266nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245023200132300002300364545005300387545005300440545006900493653013000562700001900692700004800711700004800759773015600807900001600963900001700979900001600996KSI00054453620060824151336060731s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc17(5)-17(8)00a범용성 유도결합 플라즈마 식각장비를 이용한 깊은 실리콘 식각=x(The)development of deep silicon etch process with conventional inductively coupled plasma (ICP) etcher/d조수범,e박세근,e오범환  ap. 701-707;c26 cm  a조수범, 인하대학교 정보통신공학과  a박세근, 인하대학교 정보통신공학과  a오범환, 인하대학교 정보통신공학과bobh@inha.ac.kr  aDeep silicon etchingaEtchingaPassivationaInductively coupled plasmaa범용성 유도결합 플라즈마a실리콘 식각1 a조수범4aut1 a박세근,g朴世根,d1953-0KAC2016357741 a오범환,g吳範煥,d1963-0KAC2017028920 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.17 no.7(2004년 7월), p. 701-707q17:7<701w(011001)KSE199800338,x1226-794500aJo, Soobeom10aPark, Segeun10aO, Beomhoan