01383nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245022200132300002300354545007700377545005900454545005900513545005600572653008800628700005300716700003600769700004800805700001400853773015600867900001801023900001701041900001801058900001701076KSI00054452820060824151336060731s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc17(5)-17(8)00aMnO₂의 전자상태 및 화학결합에 미치는 천이금속 첨가의 효과=xEffect of transition metal dopant on electronic state and chemical bonding of MnO₂/d이동윤,e김봉서,e송재성,e김양수  ap. 691-696;c26 cm  a이동윤, 한국전기연구원 재료응용연구단bdylee@keri.re.kr  a김봉서, 한국전기연구원 재료응용연구단  a송재성, 한국전기연구원 재료응용연구단  a김양수, 한국과학기술원 신소재공학과  aMnO₂aElectronic structureaChemical bondingaFirst principles calculationaDV-Xa1 a이동윤,g李東胤,d1961-0KAC2018320464aut1 a김봉서,d1966-0KAC2016362141 a송재성,g宋在成,d1956-0KAC2016376211 a김양수0 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.17 no.7(2004년 7월), p. 691-696q17:7<691w(011001)KSE199800338,x1226-794500aLee, Dongyoon10aKim, Bongseo10aSong, Jaesung10aKim, Yangsoo