01240nam a2200265 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245023300132300002300365545006400388545003300452545008600485653009400571700001900665700001400684700004800698773015600746856002100902900001600923900001600939900001900955KSI00054381120080423101225060729s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc17(1)-17(4)00aMMIC에 적용되는 MIM 커패시터의 실리콘 질화막 증착과 전기적 특성=xDeposition and electrical properties of silicon nitride thin film MIM capacitors for MMIC applications/d성호근,e소순진,e박춘배  ap. 283-288;c26 cm  a성호근, 원광대학교 전기전자 및 정보공학부  a소순진, (주)나리지온  a박춘배, 원광대학교 전기전자 및 정보공학부bcbpark@wonkang.ac.kr  aSilicon nitrideaMIM capacitoraPECVDaMMICaMIM 커패시터a실리콘 질화막 증착1 a성호근4aut1 a소순진1 a박춘배,g朴椿培,d1950-0KAC2017045880 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.17 no.3(2004년 3월), p. 283-288q17:3<283w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40042129aKd00010aSung, Hokun10aSo, Soonjin10aPark, Choonbae