01173nam a2200229 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245028600132300002100418545005300439545007500492653009800567700001900665700004800684773015300732856002100885900002000906900001700926 KSI000543517 20080423100400 060729s2004 ulk 000 kor a011001 0 akor beng 01 a569.205 b한597ㅈㄱ c17(1)-17(4) 00 aI$$n_x$$G$$a_{1-x}$$N/GaN 양자우물 구조의 수치 해석을 이용한 압전장 평가= xEstimation of piezoelectric fields built in I$$n_x$$G$$a_{1-x}$$N/GaN quantum well structures using numerical analysis/ d김경찬, e김태근 ap. 89-93; c26 cm a김경찬, 광운대학교 전자재료공학과 a김태근, 광운대학교 전자재료공학과 btgkim@daisy.kw.ac.kr aInGaN/GaN aQW aQuantum well aPL aPhotoluminescence aPiezoelectric fields a양자우물 구조 1 a김경찬 4aut 1 a김태근, g金泰根, d1966- 0KAC201838672 0 t전기전자재료학회 논문지. d한국전기전자재료학회. gVol.17 no.1(2004년 1월), p. 89-93 q17:1<89 w(011001)KSE199800338, x1226-7945 40 u40042084 aK d000 10 aKim, Kyoungchan 10 aKim, Taegeun