01470nam a2200301 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245025100133300002500384545007700409545007700486545009500563545007700658653008800735700001900823700001400842700004800856700001400904773016400918856002101082900001701103900001601120900001501136900001701151KSI00054311220080423094954060728s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc16(9)-16(12)00aBCI₃/Ne 혼합가스를 이용한 Ⅲ-Ⅴ 반도체의 고밀도 유도결합 플라즈마 식각=xHigh density inductively coupled plasma etching of Ⅲ-Ⅴ semiconductors in BCl₃/Ne chemistry/d백인규,e임완태,e이제원,e조관식  ap. 1187-1194;c26 cm  a백인규, 인제대학교 나노공학과/나노 기술 응용연구소  a임완태, 인제대학교 나노공학과/나노 기술 응용연구소  a이제원, 인제대학교 나노공학과/나노 기술 응용연구소bjwlee@inje.ac.kr  a조관식, 인제대학교 나노공학과/나노 기술 응용연구소  aICPaDry etchingaCompound semiconductoraBCI₃/Ne 혼합가스aⅢ-Ⅴ 반도체1 a백인규4aut1 a임완태1 a이제원,g李濟原,d1969-0KAC2018467061 a조관식0 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.16 no.12s(2003년 12월), p. 1187-1194q16:12s<1187w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40041926aKd00010aBaek, Inkyoo10aLim, Wantae10aLee, Jewon10aCho, Guansik