01869nam a2200409 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052004000093245027900133300002300412545004700435545004400482545004700526545005000573545005000623545007000673545004400743653016500787700001900952700001400971700004800985700004801033700004801081700001401129700001401143773015901157856002101316900001601337900001701353900001601370900001801386900001901404900002001423900001601443KSI00054234820080423093508060728s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc16(9)-16(12)00aHot wall epitaxy(HWE)법에 의한 CuAlSe₂단결정 박막 성장과 열처리 효과=x(The)effect of thermal annealing and growth of CuAlSe₂single crystal thin film by hot wall epitaxy/d윤석진,e정태수,e이우선,e박진성,e신동찬,e홍광준,e이봉주  ap. 871-880;c26 cm  a윤석진, 조선대학교 화학교육과  a정태수, 전북대학교 물리학과  a이우선, 조선대학교 전기공학과  a박진성, 조선대학교 신소재공학과  a신동찬, 조선대학교 신소재공학과  a홍광준, 조선대학교 물리학과bkjhong@mail.chosun.ac.kr  a이봉주, 조선대학교 물리학과  aHot wall epitaxyaSingle crystal thin filmaHall effectaOptical absorptionaPhotoluminescenceaPoint defectaCuAlSe₂단결정 박막 성장a열처리 효과1 a윤석진4aut1 a정태수1 a이우선,g李愚宣,d1952-0KAC2017004021 a박진성,g朴珍成,d1962-0KAC2012095081 a신동찬,g申東纘,d1969-0KAC2018274691 a홍광준1 a이봉주0 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.16 no.10(2003년 10월), p. 871-880q16:10<871w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40041419aKd00010aYun, Sukjin10aJeong, Taesu10aLee, Woosun10aPark, Jinsung10aChin, Dongchan10aHong, Kwangjoon10aLee, Bongju