01781nam a2200409 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245017100132300002300303545006200326545006200388545006200450545006200512545006200574545006200636545009000698653011400788700001900902700001400921700001400935700001400949700001400963700004800977700004801025773015601073856002101229900001701250900001701267900001601284900001701300900001801317900001801335900001801353KSI00054143920080423092513060727s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc16(5)-16(8)00a6H-SiC MOSFET과 디지털 IC 제작=xFabrication of 6H-SiC MOSFET and digital IC/d오충완,e최재승,e송지헌,e이장희,e이형규,e박근형,e김영석  ap. 584-592;c26 cm  a오충완, 충북대학교 전기전자컴퓨터공학부  a최재승, 충북대학교 전기전자컴퓨터공학부  a송지헌, 충북대학교 전기전자컴퓨터공학부  a이장희, 충북대학교 전기전자컴퓨터공학부  a이형규, 충북대학교 전기전자컴퓨터공학부  a박근형, 충북대학교 전기전자컴퓨터공학부  a김영석, 충북대학교 전기전자컴퓨터공학부bkimys@chucc.chungbuk.ac.kr  aSiCaMOSFETaDigital circuitsaImpurity activationaHigh temperature annealingaLaser annealinga디지털 IC1 a오충완4aut1 a최재승1 a송지헌1 a이장희1 a이형규1 a박근형,g朴根亨,d1954-0KAC2018238101 a김영석,g金永碩,d1957-0KAC2018260930 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.16 no.7(2003년 7월), p. 584-592q16:7<584w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40041001aKd00010aOh, Chung W.10aChoi, Jae S.10aSong, Ji H.10aLee, Jang H.10aLee, Hyung G.10aPark, Keun H.10aKim, Yeong S.