01589nam a2200373 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245024000132300002300372545004100395545004400436545007100480545005300551545006500604545005000669653009200719700001600811700001400827700004800841700001400889700001400903700001400917773015600931856002101087900001501108900002101123900001901144900001601163900001601179900002001195KSI00054100820080422161440060727s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc16(5)-16(8)00a열 CVD법으로 증착된 SnO₂박막의 미세구조와 전기적 특성=xMicrostructure and electrical properties of SnO₂thin films grown by thermal CVD method/d정진,e최승평,e신동찬,e구재본,e송호준,e박진성  ap. 441-447;c26 cm  a정진, 조선대학교 물리학과  a최승평, 조선대학교 물리학과  a신동찬, 조선대학교 신소재공학과bdcshin@chosun.ac.kr  a구재본, 삼성 SDI 중앙연구소 개발1팀  a송호준, 한국기초과학 지원 연구원 광주 분소  a박진성, 조선대학교 신소재공학과  aCVDaSnO₂aHall effectaGrain growthaRoughening transitiona열 CVD법aSnO₂박막1 a정진4aut1 a최승평1 a신동찬,g申東纘,d1969-0KAC2018274691 a구재본1 a송호준1 a박진성0 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.16 no.5(2003년 5월), p. 441-447q16:5<441w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40040812aKd00010aJeong, Jin10aChoi, Seongpyung10aShin, Dongchan10aKoo, Jaebon10aSong, Hojun10aPark, Jinseoung