01675na  a2200301   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245037900132300002300511545005600534545005600590545005600646545008100702653017900783700005300962700001401015700004801029700004801077773015601125856002101281900001801302900001901320900001501339900001901354KSI00054075220080422160406060726s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc16(5)-16(8)00aRF 마그네트론 스퍼터링법으로 성장시킨 0.5% ce-doped Ba(Z<TEX>$$r_{0.2}$$</TEX>T<TEX>$$i_{0.8}$$</TEX>)O₃(BCZT) 박막의 열처리 특성분석=xCharacterization of the annealing effect of 0.5% ce-doped Ba(Z<TEX>$$r_{0.2}$$</TEX>T<TEX>$$i_{0.8}$$</TEX>)O₃thin films grown by RF magnetron sputtering method/d최원석,e박용섭,e이준신,e홍병유  ap. 361-364;c26 cm  a최원석, 성균관대학교 정보통신공학부  a박용섭, 성균관대학교 정보통신공학부  a이준신, 성균관대학교 정보통신공학부  a홍병유, 성균관대학교 정보통신공학부bbyhong@yurim.skku.ac.kr  aRF magnetron sputteringaCe-doped Ba(Z<TEX>$$r_x$$</TEX>T<TEX>$$i_{1-x}$$</TEX>)O₃(BCZT)aThin filmaMLCCaMulti-layer ceramic capacitoraRF 마그네트론 스퍼터링법1 a최원석,g崔源錫,d1972-0KAC2013106874aut1 a박용섭1 a이준신,g李準信,d1962-0KAC2013261741 a홍병유,g洪秉裕,d1960-0KAC2017044750 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.16 no.5(2003년 5월), p. 361-364q16:5<361w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40040605aKd00010aChoi, Wonseok10aPark, Yongseob10aYi, Junsin10aHong, Byungyou