01905nam a2200373 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245028200132300002300414545009700437545007600534545007600610545007600686545007600762545007600838653012000914700001901034700004801053700004801101700004801149700001401197700003601211773015601247856002101403900001701424900001601441900002401457900001701481900001601498900001701514KSI00054005320080422154149060726s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc16(1)-16(4)00a스퍼터링 방법으로 증착된 하층 NiFe 코어를 갖는 박막인덕터의 CMOS 집적화 공정=xFully CMOS-compatible process integration of thin film inductor with a sputtered bottom NiFe core/d박일용,e김상기,e구진근,e노태문,e이대우,e김종대  ap. 138-143;c26 cm  a박일용, 한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소biypark71@etri.re.kr  a김상기, 한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소  a구진근, 한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소  a노태문, 한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소  a이대우, 한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소  a김종대, 한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소  aThin-film inductoraNiFe coreaDC-DC converter ICaDouble-spirala스퍼터링 방법a박막인덕터aNiFe 코어1 a박일용4aut1 a김상기,g金相基,d1957-0KAC2018453501 a구진근,g具珍根,d1956-0KAC2016372351 a노태문,g盧泰文,d1962-0KAC2017245141 a이대우1 a김종대,d1954-0KAC2018479390 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.16 no.2(2003년 2월), p. 138-143q16:2<138w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40040495aKd00010aPark, Ilyong10aKim, Sanggi10aKoo, Jingun,d1956-10aRoh, Taemoon10aLee, Daewoo10aKim, Jongdae