01215nam a2200265 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245026100132300002100393545004700414545004700461545006800508653006500576700001900641700001400660700004800674773015300722856002100875900001700896900001900913900001700932KSI00053986120080422153727060726s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc16(1)-16(4)00aIn situ Er 도핑된 GaN와 Er이 이온 주입된 GaN의 PL과 PLE 비교에 대한 연구=xComparison of in-situ Er-doped GaN with Er-implanted GaN using photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscope/d김현석,e성만영,e김상식  ap. 89-96;c26 cm  a김현석, 고려대학교 전기공학과  a성만영, 고려대학교 전기공학과  a김상식, 고려대학교 전기공학과bsangsig@korea.ac.kr  aErbiumaGaNaPhotoluminescenceaPhotoluminescence excitation1 a김현석4aut1 a성만영1 a김상식,g金相植,d1962-0KAC2013256050 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.16 no.2(2003년 2월), p. 89-96q16:2<89w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40040486aKd00010aKim, Hyunsuk10aSung, Manyoung10aKim, Sangsig