02030nam a2200445 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003300093245028200126300002100408545005300429545005300482545005300535545004000588545004000628545004300668545006400711545008300775653018500858700001901043700004801062700001401110700004801124700001401172700003601186700001401222700004801236773014501284856002101429900001501450900001801465900001701483900001601500900001601516900001701532900001701549900001801566KSI00056617720060830134623060826s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a558.05b한642c31(6)-31(10)00a이온 주입에 의한 다결정 실리콘의 응력 구배 완화 및 물성 개선=xStress gradient relaxation and property modification of polysilicon films by ion implantation/d석지원,e강태준,e이상준,e이재형,e이재상,e한준희,e이호영,e김용협  ap. 73-78;c26 cm  a석지원, 서울대학교 기계항공공학부  a강태준, 서울대학교 기계항공공학부  a이상준, 서울대학교 기계항공공학부  a이재형, 한국원자력연구소  a이재상, 한국원자력연구소  a한준희, 한국표준과학연구원  a이호영, 정회원, 서울대학교 기계항공공학부  a김용협, 정회원, 서울대학교 기계항공공학부byongkim@snu.ac.kr  aMEMSa미소전기기계시스템aIon implantationa이온 주입aResidual stressa잔류응력aPolysilicona다결정 실리콘aElastic modulusa탄성계수aHardnessa경도1 a석지원4aut1 a강태준,g姜兌俊,d1991-0KAC2018578481 a이상준1 a이재형,g李載亨,d1970-0KAC2017058151 a이재상1 a한준희,d1960-0KAC2017407801 a이호영1 a김용협,g金龍協,d1956-0KAC2016350970 t韓國航空宇宙學會誌.d韓國航空宇宙學會.g제31권 10호(2003년 12월), p. 73-78q31:10<73w(011001)KSE199509707,x1225-134840u40133014aKd00010aSuk, Jiwon10aKang, Taejune10aLee, Sangjun10aLee, Jae H.10aLee, Jae S.10aHahn, Junhee10aLee, Hoyoung10aKim, Yonghyup