02073nam a2200421 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003600093245027900129300002300408545007600431545007600507545007600583545009400659545007600753545007600829545007600905545007900981653007801060700001901138700001401157700004801171700004801219700004801267700004801315700001401363700001801377773013601395900001701531900001601548900001901564900001501583900001801598900001801616900001701634KSI00056009820060821095531060818s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a581.805b한636ㅎc36(1)-36(6)00a평판형 고밀도 유도결합 BCl₃플라즈마를 이용한 AlGaAs와 InGaP의 건식식각=xDry etching of AlGaAs and InGaP in a planar inductively coupled BCl₃plasma/d백인규,e임완태,e유승열,e이제원,e전민현,e박원욱,e조관식,eS.J. Pearton  ap. 334-338;c26 cm  a백인규, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소  a임완태, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소  a유승열, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소  a이제원, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소bjwlee@inje.ac.kr  a전민현, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소  a박원욱, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소  a조관식, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소  aS.J. Pearton, Department of Materials Sci. and Eng., University of Florida  aICPa유도결합 플라즈마aAlGaAsaInGaPaDry etchinga건식 식각1 a백인규4aut1 a임완태1 a유승열,g柳承烈,d1978-0KAC2018519521 a이제원,g李濟原,d1969-0KAC2018467061 a전민현,g全民鉉,d1957-0KAC2017130181 a박원욱,g朴元旭,d1956-0KAC2016371981 a조관식1 aPearton, S.J.0 t한국표면공학회지.d한국표면공학회.g36권 4호(2003년 8월), p. 334-338q36:4<334w(011001)KSE199509175,x1225-802410aBaek, Inkyoo10aLim, Wantae10aYoo, Seungryul10aLee, Jewon10aJeon, Minhyon10aPark, Wonwook10aCho, Guansik