01014nam a2200181 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003800093245020400131300002100335545007700356653015400433700005300587773017400640900001800814KSI00055276820060810145802060809s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.27405b한488ㅁc11(1)-11(4)00a암모니아 펄스 플라즈마를 이용한 원자층 증착된 질화텅스텐 확산방지막 특성=xNH₃pulse plasma treatment for atomic layer deposition of W-N diffusion barrier/d이창우  ap. 29-35;c26 cm  a이창우, 국민대학교 나노전자물리학과bcwlee@kookmin.ac.kr  aNH₃pulse plasmaaW-N diffusion barrieraPulse plasma enhanced atomic layer depositionaPPALDa펄스 플라즈마a질화텅스텐a확산방지막1 a이창우,g李昶雨,d1964-0KAC2018055094aut0 t마이크로전자 및 패키징학회지.d한국마이크로전자 및 패키징학회.g11권 4호(2004년 12월), p. 29-35q11:4<29w(011001)KSE199900824,x1226-936010aLee, Changwoo