01309nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002300093245030500116300002300421545011300444545006100557545006100618653007800679700005300757700001400810700002800824773015100852900001801003900001701021900001701038KSI00053593320060726150816060720s1996    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a405b국374ㄱc1500aSiF₄및 H₂gas를 이용하여 제조된 다결정 실리콘 박막에서의 기판에 따른 stress 특성변화=xSubstrate-dependent stress relaxation of polycrystalline silicon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiF₄and H₂/d이창우,e고민경,e우상록  ap. 151-160;c26 cm  a이창우, 국민대학교 자연과학대학 물리학과 조교수(이학박사)bcwlee@phys.kookmin.ac.kr  a고민경, 국민대학교 대학원 물리학과 원생  a우상록, 국민대학교 대학원 물리학과 원생  a다결정 실리콘 박막a기판aPolycrystalline siliconaSiF₄aH₂1 a이창우,g李昶雨,d1964-0KAC2018055094aut1 a고민경1 a우상록0KAC2020M85780 t(基礎科學硏究所)論文集-國民大學校.d國民大學校出版部.g15輯(1996年), p. 151-160q15<151w(011001)KSE199500678,x1226-000210aLee, Changwoo10aKo, Minkyung10aWoo, Sanglok