01555nam a2200373 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002600093245017900119300002300298545005700321545005700378545005700435545005700492545005700549545008200606653006400688700005300752700001400805700001400819700001400833700001400847700001400861773017500875856002101050900001901071900001801090900001701108900002001125900001801145900001801163KSI00046164420050923091106050816s1999    hbk           000   kor    a0110010 akorbeng01a505b청535ㅅc17(1)00aLiNbO₃박막을 이용한 MFS 소자의 특성=xProperties of MFS devices using LiNbO₃ thin films/d정순원,e김채규,e김진규,e김용성,e이남열,e김광호  ap. 337-342;c26 cm  a정순원, 청주대학교 전자공학과 대학원  a김채규, 청주대학교 전자공학과 대학원  a김진규, 청주대학교 전자공학과 대학원  a김용성, 청주대학교 전자공학과 대학원  a이남열, 청주대학교 전자공학과 대학원  a김광호, 청주대학교 전자·정보통신·반도체공학부 부교수  aLiNbO₃박막aMFS 소자aMFS devicesaLiNbO₃ thin film1 a정순원,g鄭焞元,d1976-0KAC2018050784aut1 a김채규1 a김진규1 a김용성1 a이남열1 a김광호0 t산업과학연구-청주대학교 산업과학연구소.d청주대학교 산업과학연구소.g제17권 1호(1999년 9월), p. 337-342q17:1<337w(011001)KSE19950060540u40002688aKd00210aJung, Soon Won10aKim, Chae Gyu10aKim, Jin Kyu10aKim, Yong Seong10aLee, Nam Yeal10aKim, Kwang Ho