01080nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002600093245016100119300002300280545005400303545004400357545004400401653008600445700005300531700004800584700001400632773012100646900001900767900001900786900002100805KSI00045924620050929194134050811s1991    tgk           000   kor    a0110010 akorbeng01a405b경181ㄴㅈc5100a다공질 실리콘 산화법을 이용한 SOI 소자의 제조=xFabrication of SOI devices by porous silicon oxidation/d李鍾玄,e曺贊燮,e梁天淳  ap. 181-188;c26 cm  a이종현, 공과대학 전자공학과 부교수  a조찬섭, 공과대학 전자공학과  a양천순, 공과대학 전자공학과  a다공질a실리콘a산화법aSOI소자aSOI devicesaPorous silicon oxidation1 a이종현,g李鍾玄,d1949-0KAC2018164644aut1 a조찬섭,g曺贊燮,d1965-0KAC2016333801 a양천순0 t論文集-경북대학교. 자연과학.d경북대학교.g51집(1991년), p. 181-188q51<181w(011001)KSE19950491110aLee, Jong-Hyun10aCho, Chan-Seob10aYang, Cheon-Soon