00858nam a2200229 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031041001300072049003200085052001700117056001400134082001500148245018600163260003700349300004200386502008000428504003000508546002500538700004100563900002400604KDM20121536220200728105408ta120518s2012    ggkad    m BC 000   kor  0 akorbeng0 lEM5365558lEM5365559c2fDP01a530.49b12-1  a530.492501a620.1922100ar-면 사파이어 기판 특성이 a-면 GaN 에피 성장에 미치는 영향 =xEffect of properties of r-plane sapphire substrate on epitaxial growth of a-plane GaN /d강진기  a수원 :b경기대학교,c2012  axi, 110장 :b삽화, 도표 ;c26 cm1 a학위논문(박사) --b경기대학교 대학원,c재료공학과,d2012  a참고문헌: 장 103-107  a영어 요약 있음1 a강진기,4autd1962-0KAC20172304610aKang, Jinki,d1962-