01472nam a2200301 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245026000123300002300383545006000406545004800466545006000514545005900574653015900633700001900792700004000811700004800851700004800899773013300947856002001080900001601100900001801116900001801134900001801152KSI00027340120040924234720040715s1994    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a559.705b대445ㄷc32(1)00a실리콘 박막의 재결정시 응고계면형상이 결함형성에 미치는 영향=x(The)effects of solidifying interface morphologies on the defect formation in recrystallization of silicon thin films/d李時雨,e潘孝洞,e朱承基,e李元鍾  ap. 351-357;c30 cm  a이시우, 서울대학교 공과대학 금속공학과  a반효동, ㈜ 삼성전자 기흥연구소  a주승기, 서울대학교 공과대학 금속공학과  a이원종, 한국과학기술원 전자재료공학과  a실리콘 박막a재결정a응고계면형상a결함형성aSolidifying interface morphologiesaDefect formationaRecrystallizationaSilicon thin films1 a이시우4aut1 a반효동,g潘孝洞0KAC2020L83441 a주승기,g朱承基,d1952-0KAC2017019931 a이원종,g李元鍾,d1957-0KAC2018376140 t대한금속학회지.d大韓金屬學會.g제32권 3호(1994년 3월), p. 351-357q32:3<351w(011001)KSE199508414,x0253-384740u3233381aKd00010aLee, Si-Woo10aPan, Hyo-Dong10aJoo, Seung-Ki10aLee, Won-Jong