01117nam a2200265 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002300093245018300116300002300299545005700322545005900379545004700438653007500485700004100560700001400601700001400615773016000629856002000789900001400809900001400823900001400837KSI00025599920040809114728040705s1997    bnk           000   kor    a0110010 akorbeng01a051b부642ㅇc1700aAnnealing에 의한 산화막과 금속박막과의 adhesion 영향=xAdhesion effect between the oxide layer and the metal layer by annealing/d김응수,e조원주,e김영춘  ap. 181-191;c26 cm  a김응수, 이공대학 전자공학과 전임강사  a조원주, LG 반도체 ULSI 연구소 선임연구원  a김영춘, 경북대학교 전자공학과  aAnnealinga산화막a금속박막aAdhesionaOxide layeraMetal layer1 a김응수,d1988-0KAC2018I09664aut1 a조원주1 a김영춘0 t外大論叢-釜山外國語大學校.d釜山外國語大學校.g17집(자연과학)(1997년 8월), p. 181-191q17:자연과학<181w(011001)KSE19950625640u2060719aKd00210aKim, E.S.10aCho, W.J.10aKim, Y.C.