01596nam a2200337 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245034100123300002300464545005000487545005300537545004700590545005300637545004700690653011500737700005300852700001400905700001400919700004800933700001400981773014600995856002001141900002101161900001701182900002101199900001801220900002001238KSI00035064920040923160924040915s2001    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a559.705b대445ㄷc39(1)00a선형열처리법으로 접합한 실리콘 기판에서 열원의 이동속도가 기판의 접합강도에 미치는 영향에 대한 연구=xEffect of moving velocity of the heat source on bonding strength in the direct silicon wafer bonding using linear annealing method/d朱永哲,e李珍雨,e朱永昶,e宋旿聲,e姜春植  ap. 110-115;c30 cm  a주영철, 순천향대학교 기계공학과  a이진우, 서울시립대학교 재료공학과  a주영창, 서울대학교 재료공학부  a송오성, 서울시립대학교 재료공학과  a강춘식, 서울대학교 재료공학부  a선형열처리법a실리콘a기판aFinite difference methodaDirect wafer bondingaLinear annealing method1 a주영창,g朱永昶,d1965-0KAC2018378564aut1 a이진우1 a주영철1 a송오성,g宋旿聲,d1964-0KAC2016375901 a강춘식0 t대한금속ㆍ재료학회지.d대한금속.재료학회.g39권 1호(2001년 1월), p. 110-115q39:1<110w(011001)KSE200000110,x0253-384740u3234996aKd00010aJoo, Young Cheol10aLee, Jin Woo10aJoo, Young Chang10aSong, Oh Sung10aKang, Choon Sik