01512nam a2200301 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245021400123300002500337545009300362545009300455545009300548545009300641653010300734700001900837700004800856700004800904700001400952773014900966856002001115900001801135900002001153900001701173900002001190KSI00034620420040923160916040911s2000    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a559.705b대445ㄷc38(8)00aC54-TiSi₂/SiO₂ 의 열적 불안정성에 미치는 계면 구조의 영향=xEffect of interfacial structure on thermal instability of C54-TiSi₂ on SiO₂/d徐東祐,e金泓承,e白圭夏,e康鎭榮  ap. 1130-1133;c30 cm  a서동우, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소 화합물반도체부  a김홍승, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소 화합물반도체부  a백규하, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소 화합물반도체부  a강진영, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소 화합물반도체부  aC54-TiSi₂aInterconnectaThermal instabilityaAESaRTAaTEMaSiliconaSiO₂a열적불안정성1 a서동우4aut1 a김홍승,g金泓承,d1968-0KAC2017045091 a백규하,g白圭夏,d1961-0KAC2017101561 a강진영0 t대한금속ㆍ재료학회지.d대한금속.재료학회.g38권 8호(2000년 8월), p. 1130-1133q38:8<1130w(011001)KSE200000110,x0253-384740u3234895aKd00010aSuh, Dong Woo10aKim, Hong Seung10aBaek, Kyu Ha10aKang, Jin Yeong