01626nam a2200397 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003600093245028600129300002300415545004700438545004700485545003700532545003700569545003700606545003700643545003700680653011100717700001900828700004800847700001400895700003600909700001400945700001400959700001400973773013600987900001601123900001401139900001501153900001501168900001501183900001501198900001501213KSI00018221020040521200431040429s1999    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a581.805b한636ㅎc32(1)-32(3)00a반응성 DC 마그네트론 스퍼터법에 의한 SnO₂: F 박막의 전기광학적 특성=xElectrical and optical properties of SnO₂: F thin films by reactive DC magnetron sputtering method/d정영호,e김영진,e신재혁,e송국현,e신성호,e박정일,e박광자  ap. 125-133;c26 cm  a정영호, 경기대학교 재료공학과  a김영진, 경기대학교 재료공학과  a신재혁, 국립기술품질원  a송국현, 국립기술품질원  a신성호, 국립기술품질원  a박정일, 국립기술품질원  a박광자, 국립기술품질원  a반응성 DC 마그네트론a스퍼터법aSnO₂: F thin filmsaReactive DC magnetronaSputtering method1 a정영호4aut1 a김영진,g金英進,d1958-0KAC2018484821 a신재혁1 a송국현,d1955-0KAC2018356231 a신성호1 a박정일1 a박광자0 t한국표면공학회지.d한국표면공학회.g32권 2호(1999년 4월), p. 125-133q32:2<125w(011001)KSE199509175,x1225-802410aJeong, Y.H.10aKim, Y.J.10aShin, J.H.10aSong, K.H.10aShin, S.H.10aPark, J.I.10aPark, K.J.