00988nam a2200217 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002700093245019600120300002100316545006000337545006000397653007400457700001900531700004800550773013300598900001900731900002000750KSI00018031320040520200411040426s1990    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a581.805b한636ㅎc2300a텅스텐의 화학증착시 Si소모에 관한 열역학적 분석=x(A)thermodynamic analysis on silicon consumption during the chemical vapor deposition of tungsten/d鄭泰會,e李正中  ap. 27-33;c26 cm  a정태회, 서울대학교 공과대학 금속공학과  a이정중, 서울대학교 공과대학 금속공학과  a텅스텐a화학증착aSiliconaChemical vapor depositionaTungsten1 a정태회4aut1 a이정중,g李正中,d1951-0KAC2014282480 t한국표면공학회지.d한국표면공학회.g23권 1호(1990년 2월), p. 27-33q23:1<27w(011001)KSE199509175,x1225-802410aChung, Tae-Hwe10aLee, Jung-Joong