01227nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245018600121300002300307545005500330545005800385545005800443545005800501653005800559700001600617700001400633700004800647700001400695773017200709900001200881900001500893900001400908900001500922KSI00018598320040520195900040505s1999    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a469.05b한428ㅎc9(3)00aSi(001) 기판 위에 HWE 방법으로 성장한 GaN 박막 성장=xGrowth of GaN epilayer on the Si(001) substrate by hot wall epitaxy/d이훈,e윤창주,e양전욱,e신영진  ap. 273-279;c29 cm  a이훈, 전북대학교 반도체 물성 연구소  a윤창주, 전북대학교 반도체 물성 연구소  a양전욱, 전북대학교 반도체 물성 연구소  a신영진, 전북대학교 반도체 물성 연구소  aSi(001)aHWEaGaNa박막aHot wall epitaxyaEpilayer1 a이훈4aut1 a윤창주1 a양전욱,g楊典旭,d1958-0KAC2017066151 a신영진0 tJournal of the Korean crystal growth and crystal technology.d韓國結晶成長學會.g9권 3호(1999년 6월), p. 273-279q9:3<273w(011001)KSE199508766,x1225-142910aLee, H.10aYoun, C.J.10aYang, J.W10aShin, Y.J.