01436na  a2200325   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245021000121300002200331545004700353545006800400545006800468545006800536545004700604653006700651700005300718700003600771700001400807700001400821700001400835773016900849900002101018900002001039900001701059900001601076900001801092KSI00018448220040521195834040503s1994    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a469.05b한428ㅎc4(1)00aMBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs의 전기광학적 특성=xGrowth and characterization of GaAs and AlGaAs with MBE growth temperature/d이승웅,e조훈영,e김은규,e민석기,e박정호  ap. 11-20;c 29 cm  a이승웅, 고려대학교 전자공학과  a조훈영, 한국과학기술연구원 반도체재료연구실  a김은규, 한국과학기술연구원 반도체재료연구실  a민석기, 한국과학기술연구원 반도체재료연구실  a박정호, 고려대학교 전자공학과  aMBEa성장온도a전기광학aCharacterizationaTemperature1 a이승웅,g李承雄,d1964-0KAC2019E73204aut1 a조훈영,d1960-0KAC2017277711 a김은규1 a민석기1 a박정호0 tJournal of the Korean crystal growth and crystal technology.d韓國結晶成長學會.g4권 1호(1994년 3월), p. 11-20q4:1<11w(011001)KSE199508766,x1225-142910aLee, Seung Woong10aCho, Hoon Young10aKim, Eun Kyu10aMin, Suk-Ki10aPark, Jung-Ho