01244nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245018500121300002100306545004400327545004400371545004400415545004400459653006300503700005300566700004800619700004800667700001400715773016900729900001400898900001400912900001400926900001400940KSI00018286020040524195811040430s1991    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a469.05b한428ㅎc1(1)00a실리콘 기판위에 분자선속법으로 생장한 GaAs 에피층=xMolecular beam epitaxial growth of GaAs on silicon substrate/d이동선,e우덕하,e김대욱,e우종천  ap. 82-91;c29 cm  a이동선, 서울대학교 물리학과  a우덕하, 서울대학교 물리학과  a김대욱, 서울대학교 물리학과  a우종천, 서울대학교 물리학과  a실리콘a분자선속법aGaAsa에피층aBeamaSilicon1 a이동선,g李東宣,d1964-0KAC2018449324aut1 a우덕하,g禹德夏,d1963-0KAC2017004461 a김대욱,g金大旭,d1961-0KAC2018434821 a우종천0 tJournal of the Korean crystal growth and crystal technology.d韓國結晶成長學會.g1권 1호(1991년 6월), p. 82-91q1:1<82w(011001)KSE199508766,x1225-142910aLee, D.S.10aWoo, D.H.10aKim, D.W.10aWoo, J.C.