01507nam a2200337 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002600093245018400119300003200303545005700335545005700392545005700449545005700506545005400563653010900617700004800726700001400774700001400788700004800802700001900850773019000869856001601059900002001075900002001095900001801115900001601133900002001149KSI00015705620040212115617031215s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a405b성132ㄴc46(1)00aCs이 흡착된 Si(111)7×7 표면의 초기 산화과정 연구=xInitial oxidation of Cs-adsorbed Si(111)7×7 surface/d황찬국,e안기석,e이득진,e장현덕,e박종윤  ap. 141-150:b삽도;c26 cm  a황찬국, 성균관대학교 물리학과 대학원  a안기석, 성균관대학교 물리학과 대학원  a이득진, 성균관대학교 물리학과 대학원  a장현덕, 성균관대학교 물리학과 대학원  a박종윤, 성균관대학교 물리학과 교수  aCsa흡착a표면a초기a초기산화a산화a산화과정aCs-adsorbedaInitialaOxidationaSurface1 a박종윤,g朴鍾允,d1950-0KAC2018038111 a장현덕1 a이득진1 a안기석,g安基碩,d1964-0KAC2017005181 a황찬국4aut0 t論文集-成均館大學校 基礎科學硏究所. 基礎科學篇.d成均館大學校 基礎科學硏究所.g제46집 1호(1995년 10월), p. 141-150q46:1<141w(011001)KSE19960017040u19596608aK10aPark, Chong-Yun10aJang, Hyun-Duck10aLee, Deuk-Jin10aAn, Ki-Seok10aHwang, Chan-Cuk