01790nam a2200361 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245025300123300003400376545005000410545007000460545007000530545005000600545007000650545007000720653015300790700001900943700004800962700004801010700001401058700004801072700004801120773015401168900001701322900001801339900001801357900001701375900002001392900001601412KSI00017605820040224192533031010s1997    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈc10(7)00a결정입계 처리에 따른 다결정 실리콘 태양전지의 효율 향상=xEfficiency improvement of polycrystalline silicon solar cells using a grian boundary treatment/d김상수,e임동건,e김도영,e김재문,e원충현,e이준신  ap. 1034-1040:b삽도;c26 cm  a김상수, 성균관대학교 전기공학과  a임동건, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과  a김도영, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과  a김재문, 성균관대학교 전기공학과  a원충연, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과  a이준신, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과  a다결정 규소a태양전지a결정입계a함몰전극 형성aPolycytstalline siliconaSolar cellaGrain boundaryaBuried contact metallization1 a김상수4aut1 a임동건,g林東建,d1970-0KAC2017065211 a김도영,g金度泳,d1960-0KAC2018442991 a김재문1 a원충연,g元忠淵,d1955-0KAC2016029921 a이준신,g李準信,d1962-0KAC2013261740 t電氣電子材料學會誌.d韓國電氣電子材料學會.g10卷 10號(1997년 12월), p. 1034-1040q10:10<1034w(011001)KSE199508720,x1225-668410aKim, Sang Su10aLim, Dong Gun10aKim, Do Young10aKim, Jae Mun10aWon, Chung Yeon10aYi, Jun Sin