01380nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002900093245023400122300003200356545005400388545005400442545005900496653028900555700005300844700001400897700001400911773014600925900001601071900002001087900001901107KSI00017591320040224192524031010s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈc9(7)01aAl₂O₃가 미량 첨가된 비선형성 ZnO 바리스터의 미세구조와 전도기구=x(The)microstructure and conduction mechanism of the nonlinear ZnO varistor with Al₂O₃ additions/d한세원,e강형부,e김형식  ap. 708-718:b삽도;c26 cm  a한세원, 한양대학교 공대 전기공학부  a강형부, 한양대학교 공대 전기공학부  a김형식, 한국전기연구소 전기재료연구부  a산화아연 바리스터a알루미나 첨가물a전류밀도-전계 특성a이중 전위 장벽a쇼트기 열전자 방출a턴넬링aZnO varistoraAl₂O₃ additionsaJ-E propertiesaDouble schottky barrieraSchottky thermionic emissionaFowler-nordheim tunnel Fowler-nordheim1 a한세원,g韓世元,d1961-0KAC2017075224aut1 a강형부1 a김형식0 t電氣電子材料學會誌.d韓國電氣電子材料學會.g9卷 7號(1996년 8월), p. 708-718q9:7<708w(011001)KSE199508720,x1225-668410aHan, Se-Won10aKang, Hyung-Boo10aKim, Hyung-Sik