01279nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002900093245014000122300003200262545005300294545005300347545005300400545005300453653016500506700001900671700001400690700001400704700004800718773014600766900001800912900002100930900002000951900001800971KSI00017576820040224192514031010s1995    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈc8(1)00a변형된 SSD법에 의한 InP결정 성장=xInP crystal growth by modified SSD method/d송복식,e정성훈,e문동찬,e김선태  ap. 291-297:b삽도;c26 cm  a송복식, 광운대학교 전자재료공학과  a정성훈, 광운대학교 전자재료공학과  a문동찬, 광운대학교 전자재료공학과  a김선태, 대전산업대학교 재료공학과  aInP결정a에치피트 밀도a광루미루센스a활성화 에너지a확산aInP crystalaEtch pits densityaPhotoluminescenceaActivation energyaDiffusion1 a송복식4aut1 a정성훈1 a문동찬1 a김선태,g金善泰,d1956-0KAC2018234020 t電氣電子材料學會誌.d韓國電氣電子材料學會.g8卷 3號(1995년 5월), p. 291-297q8:3<291w(011001)KSE199508720,x1225-668410aSong, Bok Sik10aChung, Sung Hoon10aMoon, Dong Chan10aKim, Seon Tai