01633nam a2200409 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002900093245025600122300002300378545004700401545004700448545004700495545004700542545004700589545004700636545004700683653009500730700001900825700001400844700001400858700001400872700001400886700001400900700004800914773012200962856002001084900001601104900001601120900001701136900001701153900001801170900001801188900001701206KSI00003521620040205103655031030s1999    tgk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.805b한536ㅅc8(1)00aMEMS 공정을 위한 여러 종류의 산화막의 잔류응력 제거 공정=xReduction of the residual stress of various oxide films for MEMS structure fabrication/d이상우,e김성운,e이상우,e김종팔,e박상준,e이상철,e조동일  ap. 265-273;c26 cm  a이상우, 서울대학교 전기공학부  a김성운, 서울대학교 전기공학부  a이상우, 서울대학교 전기공학부  a김종팔, 서울대학교 전기공학부  a박상준, 서울대학교 전기공학부  a이상철, 서울대학교 전기공학부  a조동일, 서울대학교 전기공학부  aMEMSa공정a산화막a잔류응력aResidual stressaOxide filmsaStructure fabrication1 a이상우4aut1 a김성운1 a이상우1 a김종팔1 a박상준1 a이상철1 a조동일,g趙東日,d1958-0KAC2018267420 t센서학회지.d한국센서학회.g8권 3호(1999년 5월), p. 265-273q8:3<265w(011001)KSE199508532,x1225-547540u3316411aKd00010aYi, Sangwoo10aKim, Sungun10aLee, Sangwoo10aKim, Jongpal10aPark, Sangjun10aLee, Sangchul10aCho, Dong-il