00916nam a2200229 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069052002300080245010900103300003000212545004100242545004100283545004100324545004100365653004800406700001900454700001400473700004800487700001400535773013700549KSI00017874120031229193204031218s2002    ulka          000   kor    a01100101a569.205b한597ㅈ00a최근의 MOS 구동 사이리스터의 현황과 미래/d오재근,e이유상,e한민구,e최연익  ap. 35-41:b삽도;c26 cm  a오재근, 서울대 전기공학부  a이유상, 서울대 전기공학부  a한민구, 서울대 전기공학부  a최연익, 아주대 전자공학부  aMOSa구동사이리스터a사이리스터1 a오재근4aut1 a이유상1 a한민구,g韓民九,d1948-0KAC2017232221 a최연익0 t전기전자재료.d한국전기전자재료학회.gVol.15 no.3(2002년 3월), p. 35-41q15:3<35w(011001)KSE199800337,x1226-7937