01018nam a2200217 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002400093245022000117300003200337545006900369545005300438653007500491700005300566700001400619773013000633900001900763900001800782KSI00016306520040224185705031216s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎ00aLiNbO₃ 강유전체 박막을 이용한 MFSFET′s의 게이트 전극 변화에 따른 특성=xProperties of MFSEET′s with various gate electrodes using LiNbO₃ ferroelectric thin film/d정순원,e김광호  ap. 103-107:b삽도;c26 cm  a정순원, 청주대학교 전자공학과bswjung@chongju.ac.kr  a김광호, 청주대학교 정보통신공학부  aLiNbO₃a강유전체a박막aMfsfetsa게이트전극a전극변화1 a정순원,g鄭焞元,d1976-0KAC2018050784aut1 a김광호0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g11권 2호(2002년 6월), p. 103-107q11:2<103w(011001)KSE199508370,x1225-882210aJung, Soon-Won10aKim, Kwang-Ho