01588nam a2200361 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002400093245023100117300003000348545008200378545005000460545004700510545006100557545006100618545006500679653008600744700005300830700004800883700001400931700001400945700001400959700001400973773012600987900002101113900001701134900001701151900001801168900001901186900002101205KSI00016300120040224185701031216s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎ00aReactive sputtering 방법으로 증착된 W nitride 박막의 특성=xCharacteristics of tungsten nitride films deposited by reactive sputtering method/d이연승,e이원준,e나사균,e이윤직,e임관용,e황정남,  ap. 22-27:b삽도;c26 cm  a이연승, 한밭대학교 정보통신컴퓨터공학부byslee@hanbat.ac.kr  a이원준, 세종대학교 신소재공학부  a나사균, 한밭대학교 재료공학과  a이윤직, 하이닉스반도체(주) 메모리연구소  a임관용, 하이닉스반도체(주) 메모리연구소  a황정남, 연세대학교 초미세표면과학연구센터  aReactiveaSputteringa방법aW nitridea박막aCharacteristicsaTungstenaFilms1 a이연승,g李延昇,d1963-0KAC2017463414aut1 a이원준,g李源晙,d1970-0KAC2018376371 a나사균1 a이윤직1 a임관용1 a황정남0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g11권 1호(2002년 4월), p. 22-27q1:1<22w(011001)KSE199508370,x1225-882210aLee, Youn-Seoung10aLee, Won-Jun10aRha, Sa-Kyun10aLee, Yoon-Jik10aLim, Kwan-Yong10aWhang, Chung-Nam