01204nam a2200253 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003700093245017500130300003200305545006800337545006800405545008900473653011600562700001900678700001400697700004800711773013100759900002000890900002000910900002000930KSI00016296320040224185658031216s2001    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc10(1)-10(4)00aCu 배선에 Al층간 물질 첨가에 의한 EM특성 개선=xImprovement of electromigration characteristics in using Ai interlayer/d이정환,e박병남,e최시영  ap. 403-410:b삽도;c26 cm  a이정환, 경북대학교 전자 ·전기·컴퓨터 공학부  a박병남, 경북대학교 전자 ·전기·컴퓨터 공학부  a최시영, 경북대학교 전자 ·전기·컴퓨터 공학부bsychoi@ee.knu.ac.kr  aCua배선a물질첨가a첨가aEM특성aImprovemen telectromigrationaCharacteristics usingaAiaInterlayer1 a이정환4aut1 a박병남1 a최시영,g崔時永,d1949-0KAC2018192660 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g10권 4호(2001년 12월), p. 403-410q10:4<403w(011001)KSE199508370,x1225-882210aLee, Jeung Hwan10aPark, Byung Nam10aChoi, Sie Young