01296nam a2200301 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245016300121300003200284545004700316545005900363545005900422545004700481653008900528700005300617700004800670700004800718700001400766773012500780856002000905900001700925900001600942900001800958900001800976KSI00004031220040113182347031010s1997    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a570.5b한648ㅎc35(4)00aECR플라즈마를 이용한 실리콘 산화막의 제조=xPreparation of silicon dioxide film by ECR plasma/d전법주,e오인환,e임태훈,e정일현  ap. 900-907:b삽도;c29 cm  a전법주, 단국대학교 화학공학과  a오인환, 한국과학기술연구원 화공연구부  a임태훈, 한국과학기술연구원 화공연구부  a정일현, 단국대학교 화학공학과  aECR플라즈마a산화막aSiO₂FilmaECRaPositive oxide chargeaFlatband voltage1 a전법주,g全法柱,d1968-0KAC2013097134aut1 a오인환,g吳仁煥,d1957-0KAC2018256091 a임태훈,g林泰勳,d1957-0KAC2018460411 a정일현0 t화학공학.d한국화학공학회.g35권 6호(1997년 12월), p. 900-907q35:6<900w(011001)KSE199509737,x0304-128X40uT00000320502ad10aJeon, Bup-Ju10aOh, In-Hwan10aLim, Tae-Hoon10aJung, Il-Hyun