01394nam a2200301 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245025000121300003200371545004700403545005900450545005900509545004700568653010200615700005300717700004800770700004800818700001400866773012400880856001901004900001701023900001601040900001801056900001801074KSI00004023320040116182306031010s1997    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a570.5b한648ㅎc35(1)00aECR플라즈마를 이용한 화학증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성=xCharacteristics of silicon oxide films prepared by chemical vapor deposition using ECR plasma source/d전법주,e오인환,e임태훈,e정일현  ap. 374-379:b삽도;c29 cm  a전법주, 단국대학교 화학공학과  a오인환, 한국과학기술연구원 화공연구부  a임태훈, 한국과학기술연구원 화공연구부  a정일현, 단국대학교 화학공학과  a플라즈마a실리콘aElectron cyclotron resonanceaChemical vapor depositionaMicrowave power1 a전법주,g全法柱,d1968-0KAC2013097134aut1 a오인환,g吳仁煥,d1957-0KAC2018256091 a임태훈,g林泰勳,d1957-0KAC2018460411 a정일현0 t화학공학.d한국화학공학회.g35권 3호(1997년 6월), p. 374-379q35:3<374w(011001)KSE199509737,x0304-128X40u143256aKd00010aJeon, Bup-Ju10aOh, In-Hwan10aLim, Tae-Hoon10aJung, Il-Hyun