01055nam a2200217 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002400093245022800117300003200345545007700377545005300454653009500507700005300602700001400655773013100669900001900800900001800819KSI00016315820040127194256031216s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎ00aLiNbO₃강유전체 박막을 이용한 MFS 커패시터의 게이트 전극 변화에 따른 특성=xProperties of MFS capacitors with various gate electrodes using LiNbO₃ferroelectric thin film/d정순원,e김광호  ap. 230-234:b삽도;c26 cm  a정순원, 청주대학교 전자공학과bE-mail: swjung@chongju.ac.kr  a김광호, 청주대학교 정보통신공학부  a강유전체박막aMFS커패시터a전극변화aVarious gateaElectrodesaFerroelectric1 a정순원,g鄭焞元,d1976-0KAC2018050784aut1 a김광호0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g11권 4호(2002년 12월), p. 230-234q11:4<230w(011001)KSE199508370,x1225-882210aJung, Soon-Won10aKim, Kwang-Ho