01294na  a2200289   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003500093245018800128300003200316545006800348545006800416545004700484545004700531653008400578700001900662700004800681700002800729700004800757773012800805900001800933900001700951900001700968900001900985KSI00016195120040209194247031216s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc9(1)-9(4)00aAl/TiO₂-SiO₂/Mo 구조를 가진 Antifuse의 전기적 특성 분석=xElectrical characterizations of Al/TiO₂-SiO₂/Mo antifuse/d홍성훈,e노용한,e배근학,e정동근  ap. 263-266:b삽도;c26 cm  a홍성훈, 성균관대학교 전기전자및컴퓨터공학부  a노용한, 성균관대학교 전기전자및컴퓨터공학부  a배근학, 성균관대학교 물리학과  a정동근, 성균관대학교 물리학과  aAlaTiO₂aSiO₂aMoa구조aAntifusea전기aElectricalaCharacterizations1 a홍성훈4aut1 a노용한,g盧用翰,d1958-0KAC2016368451 a배근학0KAC2020589371 a정동근,g鄭東根,d1965-0KAC2018053960 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g9권 3호(2000년 9월), p. 263-266q9:3<263w(011001)KSE199508370,x1225-882210aHong, Sunghun10aRoh, Yonghan10aBae, Geunhag10aJung, Donggeun