01209nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245015200123300003200275545004700307545004700354545006300401545006300464653008500527700001900612700004800631700002800679700001400707773012800721900001900849900001700868900001700885900001700902KSI00016074320040219194235031216s1998    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc7(1)00aSiO₂와 Co/Ti 이중층 구조의 상호반응=xInteraction of Co/Ti bilayer with SiO2 substrate/d권영재,e이종무,e배대록,e강호규  ap. 208-213:b삽도;c26 cm  a권영재, 인하대학교 금속공학과  a이종무, 인하대학교 금속공학과  a배대록, 삼성전자 반도체연구소 LS 공정개발  a강호규, 삼성전자 반도체연구소 LS 공정개발  aSiO₂aCoaTia이중층a구조a상호반응aInteractionaBilayeraSubstrate1 a권영재4aut1 a이종무,g李鍾武,d1950-0KAC2018193311 a배대록0KAC2020581301 a강호규0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g7권 3호(1998년 8월), p. 208-213q7:3<208w(011001)KSE199508370,x1225-882210aKwon, Youngjae10aLee, Chongmu10aBae, Dae-Lok10aKang, Ho-Kyu