01550nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245023400123300003200357545006200389545006200451545006200513545006200575545006200637653013800699700005300837700001400890700003600904700004800940700001400988773012901002900001701131900001701148900001701165900002501182900001701207KSI00016052220040219194233031216s1997    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc6(1)00a실리콘 트렌치 식각 특성에 미치는 He-O₂, SiF₄첨가 가스의 영향=xCharacteristics of silicon etching related to He-O₂, SiF₄for trench formation/d김상기,e이주욱,e김종대,e구진근,e남기수  ap. 364-371:b삽도;c26 cm  a김상기, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a이주욱, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a김종대, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a구진근, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a남기수, 한국전자통신연구원 반도체연구단  a실리콘a트렌치a식각a특성aHeaO₂aSiF₄a첨가a가스aCharacteristicsaSiliconaEtchingaRelatedaTrenchaFormation1 a김상기,g金相基,d1957-0KAC2018453504aut1 a이주욱1 a김종대,d1954-0KAC2018479391 a구진근,g具珍根,d1956-0KAC2016372351 a남기수0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g6권 4호(1997년 11월), p. 364-371q6:4<364w(011001)KSE199508370,x1225-882210aKim, Sang-Gi10aLee, Ju-Wook10aKim, Jongdae10aKoo, Jin-Gun,d1956-10aNam, Kee-Soo