01453na  a2200289   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245028700123300003200410545006500442545004700507545006500554545006500619653009600684700003300780700004800813700004800861700004800909773012800957900001801085900001901103900002301122900001801145KSI00015656120040219194232031215s1997    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc6(1)00a실리카 도파로(Silica Waveguide) 제작을 위한 Inductively Coupled Plasma에 의한 산화막 식각특성 연구=x(The) study of oxide etching characteristics using inductively coupled plasma for silica waveguide fabircation/d박상호,e권광호,e정명영,e최태구  ap. 287-292:b삽도;c26 cm  a박상호, 한국전자통신연구원 통신부품연구실  a권광호, 한서대학교 전자공학과  a정명영, 한국전자통신연구원 통신부품연구실  a최태구, 한국전자통신연구원 통신부품연구실  a실리카a도파로aSilica waveguidea산화막a식각특성aOxide etchingaFabircation1 a박상호0KAC2018J27934aut1 a권광호,g權光虎,d1959-0KAC2017082641 a정명영,g鄭命永,d1960-0KAC2017107571 a최태구,g崔太求,d1950-0KAC2017112090 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g6권 3호(1997년 8월), p. 287-292q6:3<287w(011001)KSE199508370,x1225-882210aPark, Sang-Ho10aKwon, Kwang-Ho10aJeong, Myung-Young10aChoi, Tae-Goo