01218nam a2200265 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245019800121300003200319545005300351545005300404545006800457653012500525700001900650700003600669700004800705773012400753856002000877900001800897900001900915900001800934KSI00003966520040113171437031010s1991    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a570.5b한648ㅎc29(1)00a공정 변수에 따른 PECVD 질화규소 박막 특성에 관한 연구=x(The)effect of process parameters on the properties of PECVD silicon nitride film/d남철우,e우성일,e김용태  ap. 336-344:b삽도;c29 cm  a남철우, 한국과학기술원 화학공학과  a우성일, 한국과학기술원 화학공학과  a김용태, 한국과학기술연구원 반도체재료연구실  a공정a변수aPECVDa질화규소a질화규소박막a박막aProcessaParametersaPropertiesaSiliconaNitrideaFilm1 a남철우4aut1 a우성일,d1951-0KAC2017063991 a김용태,g金龍泰,d1954-0KAC2018381310 t화학공학.d한국화학공학회.g29권 3호(1991년 6월), p. 336-344q29:3<336w(011001)KSE199509737,x0304-128X40uT00000273777ad10aNam, Chul Woo10aWoo, Seong Ihl10aKim, Yong Tae