01453nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245031700123300003200440545006500472545005600537545006500593545006500658653007600723700005300799700004800852700001400900700004800914773012800962900001901090900001901109900001801128900001701146KSI00015610620040219194226031215s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc5(1)00aGaAs(100) 기판에 사전 열분해하지 않은 Monoethylarsine을 사용하는 Chemical Beam Epitaxy 방법에 의한 InGaAs 박막의 Facet 성장에 관한연구=xFacet growth of ingaas on gaas(100) by chemical beam epitaxy using unprecracked monoethylarsine/d김성복,e박성주,e노정래,e이일항  ap. 199-205:b삽도;c26 cm  a김성복, 한국전자통신연구소 기초기술연구부  a박성주, 광주과학기술원 신소재공학과  a노정래, 한국전자통신연구소 기초기술연구부  a이일항, 한국전자통신연구소 기초기술연구부  aGaAs(100)기판a열분해aMonoethylarsineaInGaAs박막aFacet growth1 a김성복,g金聖馥,d1965-0KAC2018794354aut1 a박성주,g朴成柱,d1952-0KAC2013217381 a노정래1 a이일항,g李一恒,d1947-0KAC2017025360 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g5권 3호(1996년 9월), p. 199-205q5:3<199w(011001)KSE199508370,x1225-882210aKim, Sung-Bock10aPark, Seong-Ju10aRo, Jeong-Rae10aLee, El-Hang