01642nam a2200397 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245021200123300003200335545005900367545005900426545005900485545005900544545005900603545004400662545005900706653008400765700001900849700001400868700001400882700004800896700001400944700001400958700004800972773012801020900001501148900001401163900001401177900001401191900001201205900001501217900001201232KSI00015601420040219194226031215s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc5(1)00a입방형 탄화규소 박막의 적층 성장=xSingle source chemical vapor deposition of epitaxial cubic SiC Films on Si/d이경원,e유규상,e구수진,e김창균,e고원용,e조용국,e김윤수  ap. 133-138:b삽도;c26 cm  a이경원, 한국화학연구소 박막재료연구팀  a유규상, 한국화학연구소 박막재료연구팀  a구수진, 한국화학연구소 박막재료연구팀  a김창균, 한국화학연구소 박막재료연구팀  a고원용, 한국화학연구소 박막재료연구팀  a조용국, 경기대학교 물리학과  a김윤수, 한국화학연구소 박막재료연구팀  a입방형a탄화규소a적층성장aSingle sourceaChemical vaporaCubic SiC1 a이경원4aut1 a유규상1 a구수진1 a김창균,g金唱均,d1959-0KAC2018472741 a고원용1 a조용국1 a김윤수,g金潤洙,d1949-0KAC2018513230 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g5권 2호(1996년 6월), p. 133-138q5:2<133w(011001)KSE199508370,x1225-882210aLee, K.-W.10aYu, K.-S.10aKu, S,-J.10aKim, C.G.10aKoh, W.10aJoh, Y.-K.10aKim, Y.